SS määritellään seuraavasti:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
jossa:
* $$V_{gs}$$ on portin ja lähteen välinen jännite
* $$I_{ds}$$ on virtalähde lähteestä
SS mitataan tyypillisesti millivolteina vuosikymmentä kohti. Alempi SS tarkoittaa tehokkaampaa MOSFETiä, koska se vaatii vähemmän jännitteen heilahtelua nieluvirran vaihtamiseen.
SS:ään vaikuttavat useat tekijät, mukaan lukien:
* Portin oksidin paksuus
* Lähde- ja valuma-alueiden doping
* Kanavan pituus
* Lämpötila
Portin oksidin paksuus on tärkein SS:ään vaikuttava tekijä. Ohuempi porttioksidi johtaa pienempään SS:ään. Ohuempi hilaoksidi tekee MOSFETistä kuitenkin alttiimman rikkoutumiselle.
Lähde- ja valuma-alueiden doping vaikuttaa myös SS:ään. Korkeampi dopingpitoisuus johtaa pienempään SS:ään. Suurempi seostuspitoisuus lisää kuitenkin myös MOSFETin loisvastuskykyä, mikä voi heikentää sen suorituskykyä.
Kanavan pituus on toinen tärkeä SS:ään vaikuttava tekijä. Lyhyempi kanavan pituus johtaa pienempään SS:ään. Kuitenkin lyhyempi kanavan pituus tekee MOSFET:stä myös herkemmän lyhyen kanavan vaikutuksille, jotka voivat heikentää sen suorituskykyä.
Lämpötila vaikuttaa myös SS:ään. Korkeampi lämpötila johtaa korkeampaan SS:ään. Tämä johtuu siitä, että MOSFETin varauksenkuljettajien liikkuvuus vähenee lämpötilan noustessa, mikä vaikeuttaa MOSFETin vaihtamista päälle- ja pois-tilojen välillä.
SS on MOSFETien tärkeä ansioluku, koska se osoittaa, kuinka tehokkaasti ne pystyvät siirtymään päälle ja pois päältä -tilojen välillä. Optimoimalla MOSFETin suunnittelu on mahdollista saavuttaa alhainen SS, mikä voi parantaa MOSFETin suorituskykyä.